FDMA908PZ

onsemi

FDMA908PZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3957 pF @ 6 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
最大功耗2.4W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-MicroFET (2x2)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)