FDMA86265P

Name: FDMA86265P
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 75 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1A (Ta)
最大功耗	2.4W (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)