FDMA1025P

onsemi

FDMA1025P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

停产/老旧6-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 3.1A, 4.5V
基础料号FDMA1025
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A
Power - Max700mW

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-MicroFET (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)