FDMA008P20LZ

onsemi

FDMA008P20LZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN

停产/老旧6-PowerWDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4383 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
最大功耗2.4W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWDFN
供应商器件封装6-PQFN (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)