FDG6320C

onsemi

FDG6320C

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
基础料号FDG6320
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA, 140mA
Power - Max300mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-88 (SC-70-6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)