FDG6313N

onsemi

FDG6313N

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
基础料号FDG6313
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA
Power - Max300mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-88 (SC-70-6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)