FDG6306P

onsemi

FDG6306P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

已停产6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 600mA, 4.5V
基础料号FDG6306
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds114pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA
Power - Max300mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-88 (SC-70-6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)