FDG361N

onsemi

FDG361N

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 600MA SC88

停产/老旧6-TSSOP, SC-88, SOT-363模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 600mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds153 pF @ 50 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
最大功耗420mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装SC-88 (SC-70-6)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)