FDFMA3N109

onsemi

FDFMA3N109

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

停产/老旧6-VDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 15 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-MicroFET (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)