FDFM2N111

onsemi

FDFM2N111

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET

在产6-WDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 4A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds273 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大功耗1.7W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装MicroFET 3x3mm

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)