FDD86252

onsemi

FDD86252

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds985 pF @ 75 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 27A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 89W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)