FDD86110

Name: FDD86110
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.2mOhm @ 12.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2265 pF @ 50 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.5A (Ta), 50A (Tc)
最大功耗	3.1W (Ta), 127W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)