FDD850N10LD

onsemi

FDD850N10LD

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L

停产/老旧TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1465 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.3A (Tc)
最大功耗42W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
供应商器件封装TO-252 (DPAK)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)