FDD6530A

onsemi

FDD6530A

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

停产/老旧TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta)
最大功耗3.3W (Ta), 33W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装TO-252AA

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)