FDD5680

Name: FDD5680
Brand: onsemi

模拟与电源

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

在产TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 8.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1835 pF @ 30 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.5A (Ta)
最大功耗	2.8W (Ta), 60W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)