FDC658P

Name: FDC658P
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 15 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
最大功耗	1.6W (Ta)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)