FDC6561AN-NB5S007A

onsemi

FDC6561AN-NB5S007A

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 2.5A, 10V
基础料号FDC6561
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
Power - Max700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)