FDC6432SH

onsemi

FDC6432SH

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.4A, 10V
基础料号FDC6432
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 15V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®, SyncFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

电气

漏源电压30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A, 2.5A
Power - Max700mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)