FDC640P

onsemi

FDC640P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds890 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)