FDC6321C

Name: FDC6321C
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	450mOhm @ 500mA, 4.5V
基础料号	FDC6321
配置	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	680mA, 460mA
Power - Max	700mW

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)