FDC6310P

onsemi

FDC6310P

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 2.2A, 4.5V
基础料号FDC6310
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds337pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A
Power - Max700mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装SuperSOT™-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)