FDC6020C

onsemi

FDC6020C

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT

停产/老旧6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.9A, 4.5V
基础料号FDC6020
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds677pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.9A, 4.2A
Power - Max1.2W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
供应商器件封装SuperSOT™-6 FLMP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)