FDB8444TS

onsemi

FDB8444TS

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5

停产/老旧TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8410 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 70A (Tc)
最大功耗181W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
供应商器件封装TO-263-5

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)