FDB6030L

Name: FDB6030L
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 26A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1250 pF @ 15 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	48A (Ta)
最大功耗	52W (Tc)

工作温度	-65°C~175°C(TJ)