FDB6021P

Name: FDB6021P
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 14A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1890 pF @ 10 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Ta)
最大功耗	37W (Tc)

工作温度	-65°C~175°C(TJ)