FDB024N08BL7

Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13530 pF @ 40 V
制造商	onsemi
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	PowerTrench®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
最大功耗	246W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)