FDB0105N407L

onsemi

FDB0105N407L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7

已停产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.8mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23100 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
系列PowerTrench®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C460A (Tc)
最大功耗3.8W (Ta), 300W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件封装TO-263-7

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)