FCPF16N60

onsemi

FCPF16N60

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

已停产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列SuperFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗37.9W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)