FCPF11N65

onsemi

FCPF11N65

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 11A TO220F

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
基础料号FCPF11
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1490 pF @ 25 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列SuperFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大功耗36W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F-3