FCMT080N65S3

onsemi

FCMT080N65S3

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN

已停产4-PowerTSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2765 pF @ 400 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Not For New Designs
系列SuperFET® III
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 880µA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
最大功耗260W (Tc)

机械

Package / Case4-PowerTSFN
供应商器件封装4-TDFN (8x8)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)