FCH099N60E

onsemi

FCH099N60E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

停产/老旧TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 18.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3465 pF @ 380 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
包装Tube
产品状态停产/老旧
系列SuperFET® II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
最大功耗357W (Tc)

机械

Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)