FCH085N80-F155

onsemi

FCH085N80-F155

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 46A TO247

已停产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10825 pF @ 100 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusNot For New Designs
系列SuperFET® II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 4.6mA

电气

漏源电压800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc)
最大功耗446W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装TO-247-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)