FCH041N65EFLN4

onsemi

FCH041N65EFLN4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12560 pF @ 100 V
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列FRFET®, SuperFET® II
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 7.6mA

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
最大功耗595W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-4
供应商器件封装TO-247-4

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)