EMH2409-TL-H

onsemi

EMH2409-TL-H

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8EMH

停产/老旧8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2A, 10V
基础料号EMH2409
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds240pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1.2W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-EMH

环境

工作温度150°C (TJ)