EFC6612R-TF

onsemi

EFC6612R-TF

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP

已停产6-SMD, No Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号EFC6612
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

Power - Max2.5W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, No Lead
供应商器件封装6-CSP (1.77x3.54)

环境

工作温度150°C (TJ)