EFC6605R-V-TR

onsemi

EFC6605R-V-TR

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP

在产6-SMD, No Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.3mOhm @ 3A, 4.5V
基础料号EFC6605
配置2 N-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.8nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Power - Max1.6W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD, No Lead
供应商器件封装6-EFCP (1.9x1.46)

环境

工作温度150°C