EFC6601R-TR

onsemi

EFC6601R-TR

模拟与电源

MOSFET 2N-CH EFCP2718

在产6-XFBGA, FCBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号EFC6601
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

Power - Max2W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, FCBGA
供应商器件封装EFCP2718-6CE-020

环境

工作温度150°C (TJ)