EFC4630R-TR

onsemi

EFC4630R-TR

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 24V 6A EFCP

停产/老旧4-XFBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 3A, 4.5V
基础料号EFC4630
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

漏源电压24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Power - Max1.6W

机械

封装Bulk
Package / Case4-XFBGA
供应商器件封装EFCP1313-4CC-037

环境

工作温度150°C (TJ)