EFC3J018NUZTDG

onsemi

EFC3J018NUZTDG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

在产6-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 5A, 4.5V
基础料号EFC3J018
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Power - Max2.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装6-WLCSP (1.77x3.05)

环境

工作温度150°C (TJ)