ECH8697R-TL-W

onsemi

ECH8697R-TL-W

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28

在产8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 5A, 4.5V
基础料号ECH8697
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max1.5W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装SOT-28FL/ECH8

环境

工作温度150°C (TJ)