通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 4A, 4.5V |
|---|---|
| 基础料号 | ECH8663 |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 4.5V |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Power - Max | 1.5W |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | 8-ECH |
环境
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
|---|