ECH8661-TL-H

onsemi

ECH8661-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8ECH

在产8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
基础料号ECH8661
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A, 5.5A
Power - Max1.5W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-ECH

环境

工作温度150°C (TJ)