ECH8659-TL-H

onsemi

ECH8659-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8ECH

停产/老旧8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
基础料号ECH8659
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A
Power - Max1.5W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-ECH

环境

工作温度150°C (TJ)