ECH8657-TL-H

onsemi

ECH8657-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH

在产8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2A, 10V
基础料号ECH8657
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 20V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-ECH

环境

工作温度150°C (TJ)