ECH8601M-TL-H

onsemi

ECH8601M-TL-H

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH

停产/老旧8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 4A, 4.5V
基础料号ECH8601
配置2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

漏源电压24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-ECH

环境

工作温度150°C (TJ)