ECH8419-TL-H

onsemi

ECH8419-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH

停产/老旧8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 20 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

电气

漏源电压35 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-ECH

环境

工作温度150°C (TJ)