ECH8310-TL-H

onsemi

ECH8310-TL-H

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH

在产8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装8-ECH

环境

工作温度150°C(TJ)