DLN10C-BT

onsemi

DLN10C-BT

模拟与电源

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

停产/老旧R-1, Axial模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号DLN10
制造商onsemi
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
技术Standard

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseR-1, Axial

环境

Operating Temperature - Junction150°C (Max)