通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| 基础料号 | CPH663 |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| 制造商 | onsemi |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 24V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Power - Max | 900mW |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
环境
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
|---|