CPH6350-TL-E

onsemi

CPH6350-TL-E

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH

停产/老旧SOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 3A, 10V
基础料号CPH635
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 10 V
制造商onsemi
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
供应商器件封装6-CPH